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失效分析（FailureAnalysis）是探究元器件失效根源的重要手段，旨在為元器件設(shè)計(jì)、工藝、制造等流程提供改進(jìn)方向，從而提升產(chǎn)品良率和可靠性。在失效分析中，經(jīng)常遇到異形器件，其不規(guī)則的形狀與多元組件構(gòu)成的特征尤為明顯，直接影響著產(chǎn)品的性能。值得注意的是，特征尺寸在微米/亞微米級(jí)別的異形器件的表征往往存在著諸多挑戰(zhàn)。一方面，受限于傳統(tǒng)分析設(shè)備的空間分辨能力，元器件微小特征的微區(qū)分析會(huì)遇到難以準(zhǔn)確定位和準(zhǔn)確分析的障礙，直接影響了測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。對(duì)此，PHI創(chuàng)新性推出了掃描...

以立方石榴石型Li7La3Zr2O12(LLZO)作為固態(tài)電解質(zhì)的固態(tài)電池（SSB），具有高鋰離子電導(dǎo)率、低電子導(dǎo)電率（EC）、高機(jī)械和熱穩(wěn)定性以及寬電化學(xué)窗口等特點(diǎn)，有望成為推動(dòng)下一代儲(chǔ)能技術(shù)騰飛的“種子選手”。不過(guò)研究發(fā)現(xiàn)LLZO表面容易產(chǎn)生由LiOH和Li2CO3組成的鋰離子非均勻（厚度、成分差異）絕緣層，導(dǎo)致LLZO與金屬鋰的潤(rùn)濕性較差，從而在充放電過(guò)程中引起高界面電阻甚至是Li枝晶的形成，嚴(yán)重影響LLZO-SSBs的電化學(xué)性能。為了增強(qiáng)固態(tài)電解質(zhì)與金屬鋰的浸潤(rùn)性，本...

在現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)迅猛發(fā)展的今天，X射線(xiàn)顯微成像系統(tǒng)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，在材料科學(xué)、生物學(xué)、醫(yī)學(xué)等諸多領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。這種技術(shù)通過(guò)利用X射線(xiàn)的強(qiáng)大穿透力和高分辨率成像能力，為科學(xué)家們提供了一種非破壞性的方式，深入觀(guān)察和分析各種材料的微觀(guān)結(jié)構(gòu)。X射線(xiàn)顯微成像系統(tǒng)基于X射線(xiàn)與物質(zhì)相互作用時(shí)的吸收和相移特性。當(dāng)X射線(xiàn)穿過(guò)樣本時(shí)，不同密度和厚度的區(qū)域會(huì)以不同的程度吸收X射線(xiàn)，從而形成一幅反映樣本內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖像。通過(guò)高精度的探測(cè)器和先進(jìn)的圖像處理算法，顯微成像系統(tǒng)能夠?qū)⑦@種差別轉(zhuǎn)化...

離子濺射源，作為表面分析設(shè)備（如XPS、AES和TOF-SIMS）的重要組件之一，不僅能清潔樣品表面，還能輔助深度剖析，揭示樣品的內(nèi)在結(jié)構(gòu)。根據(jù)構(gòu)成濺射離子的原子/分子個(gè)數(shù)，可將離子濺射源分為單離子源（如：Ar+、Xe+、O2+）和團(tuán)簇離子源（如：C60、GCIB（GasClusterIonBeam））。其中，GCIB是由數(shù)百乃至數(shù)千個(gè)氣體原子/分子（如Ar-GCIB）組成的離子束，它能夠以極低的單原子能量進(jìn)行蝕刻，實(shí)現(xiàn)樣品表面的平坦化效果。正因如此，GCIB在有機(jī)物刻蝕方面...

質(zhì)子交換膜燃料電池（PEMFC），作為化石燃料具有潛力的可替代者而備受關(guān)注。燃料電池由陽(yáng)極、陰極和電解質(zhì)組成，其中電催化氧氣還原和氫氣氧化分別在不同的電極上單獨(dú)進(jìn)行，電子和質(zhì)子分別通過(guò)電路和離子交換膜傳輸。為了加速PEMFC的氧還原反應(yīng)（ORR）動(dòng)力學(xué)，在陰極側(cè)構(gòu)筑了高活性和穩(wěn)定性的催化層。催化層通常由催化材料和具備離子傳導(dǎo)性的離子聚合物組成，其化學(xué)態(tài)明顯影響著整個(gè)燃料電池的性能。近年來(lái)，開(kāi)發(fā)替代昂貴商用鉑族金屬（PGMs）催化劑（如Pt/C）是當(dāng)前的研究重點(diǎn)。低成本、高活性...

評(píng)判數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的指標(biāo)也許是歷史傳統(tǒng)的問(wèn)題，Rint（Rsym，Rmerge）被選中了作為評(píng)判數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的指標(biāo)。甚至在很多不是很專(zhuān)業(yè)的書(shū)里，學(xué)生們都被告知Rint需要低于多少，I/σ高于多少才能表示數(shù)據(jù)可用。于是乎，這些數(shù)值變成了評(píng)判數(shù)據(jù)質(zhì)量所謂的金標(biāo)準(zhǔn)?？墒钱?dāng)提問(wèn)Rint是什么意義時(shí)，跟什么因素相關(guān)時(shí)，大多數(shù)同學(xué)卻卡在了那里。可能Rint在大多數(shù)同學(xué)眼里就是個(gè)發(fā)表文章的門(mén)檻數(shù)值，具體是什么意義已經(jīng)不再重要。不然就不會(huì)有那么多同學(xué)追問(wèn)著怎么把Rint修下去，或者解決掉所謂的“錯(cuò)誤”...

數(shù)據(jù)前幾天涉及到一個(gè)數(shù)據(jù)，我和一個(gè)老師爭(zhēng)論了一陣的Checkcif問(wèn)題。晶體數(shù)據(jù)很清晰的顯示的原子的位置，在Checkcif里卻認(rèn)為是有問(wèn)題的Alert。如果是修，自然是可以修掉的，但是作為一個(gè)晶體學(xué)工作者的尊嚴(yán)，為了修而修，這不是科學(xué)，就成了畫(huà)畫(huà)了。但這個(gè)爭(zhēng)論也只持續(xù)了一會(huì)，我自知無(wú)力改變什么，一個(gè)科學(xué)發(fā)現(xiàn)就這樣淹沒(méi)在checkcif里。如同Alert簡(jiǎn)單粗暴的被90%以上的同學(xué)和老師稱(chēng)之為錯(cuò)誤，即便解釋了再多遍，也鮮有人認(rèn)真去改正。讀過(guò)Checkcif歷史的同學(xué)都會(huì)知道，...

有意思的晶體有些有意思的晶體只在書(shū)里看到過(guò)，現(xiàn)實(shí)中總也碰不到就覺(jué)得特別的惋惜。不過(guò)就算遇到了，心里也在那里犯嘀咕，不到后面解出合理的結(jié)構(gòu)，總不能確定到底猜謎猜的對(duì)不對(duì)。不知道有多少人在書(shū)里看到這么一個(gè)例子，一個(gè)看起來(lái)超級(jí)像六方的晶體，實(shí)際上是三個(gè)正交晶體的孿晶。不過(guò)書(shū)里沒(méi)有衍射圖，所有的分析都是基于hkl文件的規(guī)律獲得。整個(gè)推理的過(guò)程，書(shū)里寫(xiě)的很詳細(xì)，但是自己讀的云里霧里，無(wú)奈只好苦笑于做學(xué)生時(shí)沒(méi)有好好讀書(shū)，打好基礎(chǔ)，太急功近利，關(guān)注于結(jié)果。不過(guò)還好重點(diǎn)還是能get到的，簡(jiǎn)單...